俄羅斯國家研究型核大學國立核能研究大學莫斯科工程物理學院(MEPhI)的學者與俄羅斯科學院西伯利亞分院金屬物理研究所的專家合作,研發出一種能夠提高高頻微型電路操作速率的納米結構。
該納米結構是一種由常用半導體組成的層狀材料。研究人員挑選了製造新型納米結構的適宜條件:過渡層結構、厚度和活躍層的成分,因此,結構質量非常高。在提高材料“活躍”導電層中銦含量的情況下,有助於降低結構中的電子質量,提高它們的速度,因此電子儀器的執行也能加快。
不過,鄰層晶格的機械壓力將因此增強。物理學家們在逐漸增加活躍層中銦含量的同時,也增加了厚實的過渡層,由此解決了上述問題。
(本欄目稿件來源:“衛星”新聞通訊社 整編:本報記者 房琳琳)